2019-12-10 23:54 — asano
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前回のμPD454Dでピンの付き方が変わっていると書きました。これでセラミックDIPの4タイプが揃ったので並べてみます。
最初のこれは Side Brazed DIP と呼ばれているもの、写真はIntelのC8095-90です。
セラミックのパッケージ自体に配線がされていて、ダイは金属のフタの内部にあります。
セラミックを焼成するときに配線も一緒に作ってしまいます。DIPではあまり必要ないと思われますが複雑な3次元のパターンも可能です。
ピンはパッケージ側面の電極にろう付けされています。
写真はTexas InstrumentsのTMS9900JDLです。
構造は上のものと同様ですが電極がパッケージ上面に配置されています。そこにピンがろう付けされ下方に曲げられています。
名称は Top Brazed DIP でしょうか?
これは先日のNECのμPD454Dです。
電極がパッケージ下面にあり、ろう付けされたピンはやはり下方に曲げられています。
写真のμPD454Dでは側面も電極になっていますので、もう少し幅を広げれば Side Brazed DIP にもできそうです。
これも名称がはっきりわかりませんでした。Bottom Brazed DIP でしょうか?
この3種は構造がそっくりでピンの取り付け位置が異なるだけなので区別する必要があまり無いからなのかもしれません。
最後の写真はHarrisのHD1-6120-9です。
このパッケージはCERDIPと呼ばれることが多いのですが、セラミックDIP一般をそう略すこともあるようです。ここではCERDIPと呼ぶことにします。
構造的にはこれまでの3つとはまったく異なっていて、どちらかというとプラスチックDIPに近いといえるかもしれません。リードフレーム上にダイを載せたものを2枚のセラミック板でサンドイッチしたものです。
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