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16k DRAM


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こんなものも手に入れてみました。

uPD416C-1
NEC製のμPD416C-1、かなり古い16k×1bitのDRAMです。

×1品なので通常は8つ並べて16kBの構成とします。NECのパソコンPC-8001ではこれが8つと増設用にソケットが8つ実装されていました。標準で16kB、ソケットに増設すれば32kBとなります。

「-1」のマーキングは他とちょっと違っていますが、おそらくパッケージング後に測定してランク分けしたためではないかと思います。

型番 アクセスタイム
μPD416 300ns
μPD416 -1 250ns
μPD416 -2 200ns
μPD416 -3 150ns
μPD416 -5 120ns

その前の「C」はプラスチックDIPを表します。「D」ならセラミックDIPです。

1ピンのところの青も何らかのマークでしょうがよくわかりません。

HYB4116-P2DH
こちらはSiemensのHYB4116-P2DH、やはり16k×1bitのDRAMです。

型番が「HY」で始まるのでHyundai, Hynixなどを想像してしまいますが、Pro Electronの資料で「HY」はSiemensに割り当てられているようです。

個別半導体ではメーカ共通の型番でしたが、集積回路はメーカごとに割り当てられています。

だとすると3文字目の「B」は使用温度範囲が0~70°Cということになります。

裏側
HYB4116は裏側にもマーキングがありましたが、詳細不明です。

これらはどちらも1980年代のものです。ちょっと面倒な点や変わった点もありました。

まずこの16k DRAMは3電源を必要としていました。VCC=+5V, VDD=+12V, VBB=-5Vです。同時代のIntel 8080なども同様でしたから大した問題ではありませんでしたが、プロセッサが5V単一電源で動作するようになると煩わしく感じられるようになります。次世代の64k DRAMからは+5V単一になっています。

データ線がDI, DOと入出力で分かれています。データバスを上りと下りに分けていた設計もあったので、それへの対応でしょうか。容量が増えても×1品ではその後も引き継がれていたようです。×4品ではピン数増加がバカにならないためか入出力共通となります。

こんなものをなぜ今さら調達したかというとEF9367を動かすために必要になるからです。以前書いたようにビット単位での書き込みが必要になるので×4品では不都合です。まぁピクセル深さを4ビットにしてしまえば良いのですが。

参考文献・関連図書: 
uPD416-1,uPD416-2,uPD416-3,uPD416-5データシート, NEC Electronics.
HYB4116-2,HYB4116-3データシート, Siemens.
"European Type Designation Code System for Electronic Components" Sixteen Edition, Pro Electron.

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